نقد و بررسی
خدمات پوشش دهی فلزات / پوشش دهی نیترید فلزات***نحوهی سفارش این خدمت و ارسال نمونه در بخش توضیحات***
پوشش دهی فلزات / پوشش دهی نیترید فلزات به روش لایه نشانی تبخیر فیزیکی با کندوپاش مغناطیسی به روش جریان مستقیم/ فرکانس رادیویی و تبخیر حرارتی
شرح خدمت:
پوشش دهی توسط رسوب فیزیکی بخار (PVD)
روش رسوب فیزیکی بخار بیشتر برای تولید فیلمهای نازک استفاده میشود. فیلم نازک اغلب برای پوششهای با ضخامت کمتر از 100 نانومتر استفاده میشود. اخیرا از این روش برای تولید نانوذرات نیز استفاده شده است. در این روش ماده مورد نظر تبخیر شده و روی زیرپایه نشانده میشود. نشست فیلمها و پوششهای مختلف یعنی تبخیر اتمها، مولکولها و یا خوشههای اتمی ترکیبات مورد نظر از سطح با استفاده از روشهای مختلف تبخیر و نشاندن آنها روی زیرپایه است. منبع اتمها و مولکولها میتواند بهصورت گازی، مایع و یا جامد باشد. تبخیر اتمها و مولکولها از هدف به وسیله منابع حرارتی انجام میشود برای این منظور باید ماده اولیه تا رسیدن به فشار بخار مشخصی حرارت داده شوند. همچنین میتوان از باریکههای پر انرژی مانند الکترونها و فوتونها برای تبخیر مواد اولیه استفاده کرد. روش PVD با روش CVD متفاوت است. روش رسوب فیزیکی بخار این روش بر پایه واکنشهای فیزیکی است و در این روش با استفاده از منابع بخار و یا مایع، اتمها و مولکولهای واکنش دهنده را به وجود میآورند.
پیشرفتهای گستردهای در فناوری لایههای نازک روی داده است که در بخشهای مختلف صنعت کاربرد گستردهای دارد. تا به امروز روشهای مختلفی برای ساخت لایههای نازک معرفی شده است که روش کندوپاش (Sputtering) یکی از انواع روشهای لایه نشانی فیزیکی بخار (Physical Vapor Deposition – PVD) محسوب می شود که لایه نشانی فیزیکی بخار نیز به نوبه خود جز روشهای لایه نشانی در خلا است. مانند سایر روشهای لایه نشانی فیزیکی تحت شرایط خلا، روش کندوپاش نیز شامل (الف) تبخیر ماده منبع؛ (ب) انتقال بخار از منبع به زیرلایه و (ج) تشکیل لایه نازک روی زیرلایه با انباشت بخار منبع مورد نظر است. در روش کندوپاش، برای این که ماده منبع به فاز بخار خود منتقل شود، از بر هم کنش فیزیکی ذرههایی که به ماده منبع یا هدف (target) برخورد می کنند استفاده کرد. ماده هدف که به ولتاژ منفی متصل است، نقش کاتد را دارد. با بمباران و برخورد ذرات پر انرژی به سطح هدف، اتمها یا مولکولهای آن از سطح جدا شده و به بیرون پرتاب میشوند و درمیدان ایجاد کننده پلاسما شتاب میگیرند. زیرلایه به ولتاژ مثبت متصل است و در واقع آند است و لایهای از جنس هدف روی آن انباشت میشود. این روش برای ایجاد پوشش و ساخت لایههای نازکی که کاربردهای مانند اپتیکی، ذخیره سازی مغناطیسی دارند، استفاده میشود متداولترین روش کندوپاش، کندوپاش مغناطیسی است که در آن میدان مغناطیسی به موازات سطح کاتد اعمال میشود که باعث میگردد الکترونها در نورانی به جای طی مسیر به صورت مستقیم به صورت مارپیچی حرکت کنند و علاوه بر اینکه الکترونها پرانرژیتر میشوند مسیر بیشتری را طی و اتمهای بیشتری را یونیزه میکنند(شکل 1). بنابراین میدان مغناطیسی، پلاسما را در اطراف سطح هدف محدود میکند که این دام الکترونی آهنگ برخورد بین الکترونها و مولکولهای گاز که کندوپاش را به عهده دارند افزایش میدهد و سبب میشود که لایه نشانی در فشارهای پایینتر قابل انجام شود. میدان مغناطیسی با افزایش چگالی پلاسما، چگالی جریان در هدف یا کاتد را افزایش میدهد و در نتیجه آهنگ کندوپاش افزایش مییابد. به دلیل پایین بودن فشار گاز، ذرات کنده شده فضای محفظه را بدون برخورد طی میکنند که منجر به افزایش آهنگ لایه نشانی میشود. این روش در مقایسه با سایر روشها، قابلیت لایه نشانی درمقیاس بزرگ را داراست. بنابراین برای کاربردهای صنعتی به طورگسترده استفاده میشود و به منظور افزایش آهنگ لایه نشانی از کندوپاش مغناطیسی استفاده میگردد. چنانچه ولتاژ منبع تغذیه DC باشد کندوپاش مستقیم نام دارد و معمولا برای لایه نشانی فلزات به کار گرفته میشود. برای لایه نشانی مواد عایق و نیمه رسانا از پتانسیل فرکانس رادیویی استفاده میشود.
شکل 1)نمایی از کندوپاش مغناطیسی است که در آن میدان مغناطیسی به موازات سطح کاتد است و باعث میشود الکترونها به جای طی مسیر به صورت مستقیم به صورت مارپیچی حرکت کنند و الکترونها پرانرژیتر میشوند و مسیر بیشتری را طی و اتمهای بیشتری را یونیزه میکنند. لایه نشانی به روش تبخیر حرارتی فرآیندی است که در محیط خلاء و به کمک اعمال جریان الکتریکی برای تبخیر ماده منبع صورت میگیرد و هدایت و انتقال ماده تبخیر شده به سمت زیرلایه بر اساس اختلاف فشار میان محلی که ماده منبع و زیرلایه قرار دارد، اتفاق میافتد. این روش لایه نشانی یکی از رایجترین انواع لایه نشانیها در ساخت لایههای نازک به شمار میرود. پارامترهایی که در این نوع لایه نشانی بایستی کنترل شوند، فشار محفظه و دمای بوتهای است که ماده منبع در آن قرار میگیرد. در این روش، ماده منبع که به عنوان پوشش استفاده میشود (مانند یک قطعه فلز) در یک ظرف (بوته) که با نام قایقک یا فیلامان نیز شناخته میشود و از جنس فلزات مقاوم است، قرار میگیرد. با عبور جریان برق از قایقک یا بوته و داغ شدن ماده مورد نظر به عنوان ماده منبع و تبخیر آن در محیط خلاء، به دلیل اختلاف فشاری که بین محل بوته و محل زیرلایه وجود دارد، یک لایه بسیار نازک بر روی زیرلایه قرار میگیرد. این روش پیشتر در اوایل قرن بیستم به منظور ساخت آینههای فلزی از آلومینیوم یا نقره یا قطعات ماشین آلات مورد استفاده قرار میگرفت (شکل 2).
شکل 2- طرح واره لایه محفظه خلا برای ساخت لایه نازک به روش تبخیر حرارتی
در صورت نیاز به استفاده از این خدمات میتوانید به شرح ذیل عمل نمایید:
1. پس از ثبت نام در سایت، با اکانت خود در سایت وارد شوید و از طریق بخش خدمات تخصصی، نوع خدمات خود را انتخاب نمایید.
2. خدمات انتخابی خود را به سبد خرید خود اضافه نمایید. (با توجه به آنکه قیمت پیش فرض تعیین شده برای یک نمونه میباشد، اگر تعداد نمونه شما بیشتر از یک نمونه میباشد قبل از افزودن به سبد خرید تعداد را به تعداد مورد نظر ارتقا دهید.)
.3 پس از تکمیل فرایند خرید، واریز وجه و دریافت شماره پیگیری، فرم تخصصی خدمات آنالیز را تکمیل و فرم امضا شده را به همراه نمونهی خود به آدرس ذیل ارسال نمایید. ضمنا خواهشمند است نسخه الکترونیکی این فرم را به صورت فایل Word، به آدرس nanoBAZARservice@ تلگرام فرمایید.
«تهران- منطقه 13 پستی-صندوق پستی 316-13445 به نام خانم فرهنگ آذر (دقیقا این عبارت در آدرس گیرنده روی پاکت درج شود).»
4. پس از انجام خدمات، نمونهی مربوطه به آدرس شما ارسال خواهد شد.
**بازگرداندن نمونه شامل هزینه میباشد که بایستی پس از سفارش در هنگام انتخاب روش ارسال، گزینه ی “هزینهی بازگرداندن نمونه-ویژهی خدمات و آنالیزهای تخصصی” را انتخاب کنید.
0دیدگاه