بازخورد درباره این کالا

ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع P مناسب برای MEMS و ترانزیستور با مقاومت 1 تا 10 اهم سانتی متر و قطر 2 اینچ

0
از 0 رای

0دیدگاه

شناسه محصول: 70102022
ویژگی های محصول
  • ضخامت ویفر : 10 ± 500 میکرو‌متر
  • جهت کریستالی : <100>
  • نوع ناخالصی : بورون
  • مقاومت : 1 تا 10 اهم سانتی‌متر
  • پولیش : یک سمت پولیش
  • ضخامت اکسید : 10 ± 300 نانو‌متر
+ اطلاعات بیشتر
فروشگاه اینترنتی نانوبازار

2 عدد در انبار

  • ارسال توسط فروشگاه اینترنتی نانوبازار
16,800,000 ریال
آیا قیمت مناسب تری سراغ دارید؟
مرا اگاه کن


از طریق:
ثبت

محصولات مرتبط

نقد و بررسی

ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع P مناسب برای MEMS و ترانزیستور با مقاومت 1 تا 10 اهم سانتی متر و قطر 2 اینچ

در بسیاری موارد همچون فرآیند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود.

نمایش بیشتر - بستن

در بسیاری موارد همچون فرآیند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود. از جمله کاربرد‌ها می‌توان در الکترونیک، ساخت ترانزیستور، ساخت مدار‌های مجتمع و …

توضیحات تکمیلی

ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع P مناسب برای MEMS و ترانزیستور با مقاومت 1 تا 10 اهم سانتی متر و قطر 2 اینچ
مشخصات دیگر
ضخامت ویفر

10 ± 500 میکرو‌متر

جهت کریستالی

<100>

نوع ناخالصی

بورون

مقاومت

1 تا 10 اهم سانتی‌متر

پولیش

یک سمت پولیش

ضخامت اکسید

10 ± 300 نانو‌متر

ابعاد

قطر 2 اینچ

نوع

P

کشور

چین

موارد مصرف

1. الکترونیک 2. ساخت ترانزیستور 3. ساخت مدارهای مجتمع و …

    هیچ پرسش و پاسخی ثبت نشده است.

پرسش خود را درباره این کالا بیان کنید

ثبت پرسش